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东芝计划与英特尔和三星电子成立财团，邀请约10家半导体材料及相关企业加入，共同开发新的芯片技术，到2016年半导体线宽将减半至近10纳米。

综合媒体10月29日报道称，到2016年，toshibacorp将与intelcorp和三星电子公司合作开发将半导体线宽减少一半以上至近10纳米的技术。

根据10月29日的早期日经指数，这三家芯片制造商计划很快成立一个财团，并邀请大约10家从事半导体材料和相关领域的公司加入。这些企业预计将包括全球最大的光刻胶制造商jsrcorp戴尼邦印刷有限公司，世界第一和第二光掩模制造商；托邦印刷公司；和世界第二大芯片制造商东京电子有限公司。该财团将在茨城县筑波公私合营工厂进行研发工作。

日本经济产业省预计将提供约50亿日元的启动资金，其中约100亿日元用于这项研发工作，其余资金可能来自财团成员企业。

这将标志着日本公私合营的半导体开发项目首次接受外国芯片制造商作为其主要成员企业。日方认为，考虑到巨大的开发成本和竞争的加剧，最好的选择是与全球最大和第二大芯片制造商英特尔和三星电子合作。

金融集团的工作将集中在半导体光刻工艺技术，这是用于(0)(0)评论这篇文章，其他评论推出主题相关的信息，金融新闻论坛，请输入验证码创建硅片电路。

由于紫外线曝光设备有望在2012年或更晚时候进入市场，半导体电路的最小理论宽度将降至10纳米。然而，事实上，大量生产线宽接近这个数字的芯片将需要改进诸如光致抗蚀剂树脂和光掩模的材料，以及改进芯片制造设备。

东芝和三星电子计划利用这项技术制造10纳米nand闪存和其他芯片。更窄的电路预计将使存储芯片的存储容量增加两倍，因此邮票大小的芯片可以容纳400千兆字节，相当于大约100部高清电影。

英特尔可能会利用这项技术开发速度更快的微处理器。